目前國內(nèi)LED行業(yè)的現(xiàn)實狀況，相對于國內(nèi)的LED芯片技術(shù)而言，國外更加注重芯片技術(shù)更新，很多的企業(yè)已經(jīng)在大尺寸硅襯底氮化鎵基LED芯片技術(shù)研究上取得突破而國內(nèi)新品更加注重產(chǎn)量。

芯片，是LED的核心部件。目前國內(nèi)外有很多LED芯片廠家，然芯片分類沒有統(tǒng)一的標準，若按功率分類，則有大功率和中小功率之分;若按顏色分類，則主要為紅色、綠色、藍色三種;若按形狀分類，一般分為方片、圓片兩種;若按電壓分類，則分為低壓直流芯片和高壓直流芯片。國內(nèi)外芯片技術(shù)對比方面，國外芯片技術(shù)新，國內(nèi)芯片重產(chǎn)量不重技術(shù)。

襯底材料和晶圓生長技術(shù)成關鍵

目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當前LED芯片研究的焦點。目前，市面上大多采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導體氮化鎵，這兩種材料價格都非常昂貴，且都為國外大企業(yè)所壟斷，而硅襯底的價格比藍寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高MOCVD的利用率，從而提高管芯產(chǎn)率。所以，為突破國際專利壁壘，中國研究機構(gòu)和LED企業(yè)從硅襯底材料著手研究。

但問題是，硅與氮化鎵的高質(zhì)量結(jié)合是LED芯片的技術(shù)難點，兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的巨大失配而引起的問題密度高和裂紋等技術(shù)問題長期以來阻礙著芯片領域的發(fā)展。

無疑，從襯底角度看，主流襯底依然是藍寶石和碳化硅，但硅已經(jīng)成為芯片領域今后的發(fā)展趨勢。對于價格戰(zhàn)相對嚴重的中國來說，硅襯底更有成本和價格優(yōu)勢：硅襯底是導電襯底，不但可以減少管芯面積，還可以省去對氮化鎵外延層的干法腐蝕步驟，加之，硅的硬度比藍寶石和碳化硅低，在加工方面也可以節(jié)省一些成本。

目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75％的原料成本。